BS IEC 60747-4-2008 半导体装置.分立装置.微波二极管和晶体管
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时间:2024-04-29 04:53:12
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【英文标准名称】:Semiconductordevices-Discretedevices-Microwavediodesandtransistors
【原文标准名称】:半导体装置.分立装置.微波二极管和晶体管
【标准号】:BSIEC60747-4-2008
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2008-02-29
【实施或试行日期】:2008-02-29
【发布单位】:英国标准学会(BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:ThispartofIEC60747givesrequirementsforthefollowingcategoriesofdiscretedevices:–variablecapacitancediodesandsnap-offdiodes(fortuning,up-converterorharmonicmultiplication,switching,limiting,phasedshift,parametricamplification);–mixerdiodesanddetectordiodes;–avalanchediodes(fordirectharmonicgeneration,amplification);–gunndiodes(fordirectharmonicgeneration);–bipolartransistors(foramplification,oscillation);–field-effecttransistors(foramplification,oscillation).
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_10;31_080_30
【页数】:140P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:半导体装置.分立装置.微波二极管和晶体管
【标准号】:BSIEC60747-4-2008
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2008-02-29
【实施或试行日期】:2008-02-29
【发布单位】:英国标准学会(BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:ThispartofIEC60747givesrequirementsforthefollowingcategoriesofdiscretedevices:–variablecapacitancediodesandsnap-offdiodes(fortuning,up-converterorharmonicmultiplication,switching,limiting,phasedshift,parametricamplification);–mixerdiodesanddetectordiodes;–avalanchediodes(fordirectharmonicgeneration,amplification);–gunndiodes(fordirectharmonicgeneration);–bipolartransistors(foramplification,oscillation);–field-effecttransistors(foramplification,oscillation).
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_10;31_080_30
【页数】:140P;A4
【正文语种】:英语
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